YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk> Perangkat modul semikonduktor> Modul IGBT> Switching cepat dan modul IGBT 1200V 900A arus pendek
Switching cepat dan modul IGBT 1200V 900A arus pendek
Switching cepat dan modul IGBT 1200V 900A arus pendek
Switching cepat dan modul IGBT 1200V 900A arus pendek
Switching cepat dan modul IGBT 1200V 900A arus pendek
Switching cepat dan modul IGBT 1200V 900A arus pendek
Switching cepat dan modul IGBT 1200V 900A arus pendek
Switching cepat dan modul IGBT 1200V 900A arus pendek

Switching cepat dan modul IGBT 1200V 900A arus pendek

$1655-49 Piece/Pieces

$135≥50Piece/Pieces

Jenis pembayaran:L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:FOB,CFR,CIF
Transportasi:Ocean,Land
Pelabuhan:SHANGHAI
Atribut Produk

Model NoYZPST-G900WB120B6TC

MerekYzpst

Tempat AsalCina

VCES1200V

VGES±20V

IC TC=25℃880A

IC TC=95℃900A

ICM1200A

Ptot3125W

IF(AV)900A

& pengiriman paket
Menjual unit : Piece/Pieces
Tipe paket : 1. Kemasan Anti-Elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid
Contoh pada gamba :
Unduh :
Modul IGBT G900WB120B6TC
Deskripsi Produk

Modul IGBT 1200V 900A

P/N: YZPST-G900WB120B6TC

PRODUK FITUR

Chip IGBT (parit+FS)

Tegangan saturasi rendah dan koefisien suhu positif

Switching cepat dan arus ekor pendek

Dioda roda bebas dengan pemulihan terbalik yang cepat dan lembut

Termasuk indera suhu

APLIKASI

Kontrol motor AC

Kontrol Gerak/Servo

Inverter dan catu daya

Sel fotovoltaik/bahan bakar

YZPST-G900WB120B6TC IGBT Module


Peringkat maksimum IGBT-Absolute ( T C = 25 ° C kecuali jika tidak ditentukan )

Symbol Parameter/Test Conditions Values Unit
VCES Collector Emitter Voltage TJ=25 1200 V
VGES Gate Emitter Voltage ±20
IC DC Collector Current TC=25, TJmax =175 880
TC=95, TJmax =175 900 A
ICM Repetitive Peak Collector Current tp=1ms 1200
Ptot Power Dissipation Per IGBT TC=25, TJmax =175 3125 W


Peringkat maksimum dioda-absolute ( T C = 25 ° C kecuali jika tidak ditentukan )

Symbol Parameter/Test Conditions Values Unit
VRRM Repetitive Reverse Voltage TJ=25 1200 V
IF(AV) Average Forward Current 900 A
IFRM Repetitive Peak Forward Current tp=1ms 1200
I2t TJ =150, t=10ms, VR=0V 45 kA2s

IGBT-INVERTER

Karakteristik listrik ( T C = 25 ° C kecuali jika tidak ditentukan )

Symbol Parameter/Test Conditions Min. Typ. Max. Unit
VGE(th) Gate Emitter Threshold Voltage VCE=VGE , IC=24mA 5 5.8 6.5
Collector Emitter IC=900A, VGE=15V, TJ=25 1.9 2.3
VCE(sat) Saturation Voltage IC=900A, VGE=15V, TJ=125 2.2 V
IC=900A, VGE=15V, TJ=150 2.25
ICES Collector Leakage Current VCE=1200V, VGE=0V, TJ=25 1 mA
VCE=1200V, VGE=0V, TJ=150 10
IGES Gate Leakage Current VCE=0V,VGE=±20V, TJ=25 -400 400 nA
RGint Integrated Gate Resistor 0.7
Qg Gate Charge VCE=900V, IC=900A , VGE=15V 3.1 µC
Cies Input Capacitance VCE=25V, VGE=0V, f =1MHz 43.2 nF
Cres Reverse Transfer Capacitance 2.07 nF
td(on) Turn on Delay Time VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω , TJ=25 100 ns
VGE=±15V, TJ=150 110 ns
tr Rise Time Inductive Load TJ=25 85 ns
TJ=150 95 ns
td(off) Turn off Delay Time VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω , TJ=25 530 ns
VGE=±15V, TJ=150 580 ns
tf Fall Time Inductive Load TJ=25 65 ns
TJ=150 215 ns
TJ=25 55 mJ
Eon Turn on Energy TJ=125 85 mJ
VCC=600V,IC=900A RG =1.5Ω , TJ=150 95 mJ
VGE=±15V, TJ=25 45 mJ
Eoff Turn off Energy Inductive Load TJ=125 58 mJ
TJ=150 63 mJ
ISC Short Circuit Current tpsc10µs , VGE=15V 2200 A
TJ=150,VCC=800V
RthJC Junction to Case Thermal Resistance  Per IGBT 0.048 K /W

Garis besar paket

Package Outline Jpg



Rumah> Produk> Perangkat modul semikonduktor> Modul IGBT> Switching cepat dan modul IGBT 1200V 900A arus pendek
苏ICP备05018286号-1
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim