YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk> Perangkat modul semikonduktor> Modul IGBT> Modul 62mm dengan IGBT parit/fieldstop cepat dan dioda pemulihan cepat
Modul 62mm dengan IGBT parit/fieldstop cepat dan dioda pemulihan cepat
Modul 62mm dengan IGBT parit/fieldstop cepat dan dioda pemulihan cepat
Modul 62mm dengan IGBT parit/fieldstop cepat dan dioda pemulihan cepat
Modul 62mm dengan IGBT parit/fieldstop cepat dan dioda pemulihan cepat
Modul 62mm dengan IGBT parit/fieldstop cepat dan dioda pemulihan cepat
Modul 62mm dengan IGBT parit/fieldstop cepat dan dioda pemulihan cepat
Modul 62mm dengan IGBT parit/fieldstop cepat dan dioda pemulihan cepat

Modul 62mm dengan IGBT parit/fieldstop cepat dan dioda pemulihan cepat

$4550-499 Piece/Pieces

$38≥500Piece/Pieces

Jenis pembayaran:L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:FOB,CIF,CFR
Transportasi:Ocean,Land,Express,Others
Pelabuhan:SHANGHAI
Atribut Produk

Model NoYZPST-P150HFN120AT1R6

MerekYzpst

Tempat AsalCina

VcEs1200V

VGEs±20V

Lc150A

CRM300A

Ptot1500W

VcE(sat2.2V

VgE(th2.5V

& pengiriman paket
Menjual unit : Piece/Pieces
Tipe paket : 1. Kemasan Anti-Elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid
Unduh :
YZPST-P150HFN120AT1R6
Deskripsi Produk

P/N: YZPST-P150HFN120At1R6

Modul 62mm dengan parit cepat/fieldstop IGBT dan Cepat Pemulihan Dioda

Fitur

■ Kerugian switching rendah

■ Vcesal rendah

■ VCE rendah (duduk dengan koefisien suhu positif

Aplikasi

■ Motor drive

Sistem UPS

■ Inverter Daya Tinggi

Skema sirkuit yang setara

P150HFN120AT1R6

IGBT -Inverter

Nilai nilai maksimum

Symbol

Description

Conditions

Values

Unit

VcEs

Collector-Emitter Voltage

Tv=25℃

1200

V

VGEs

Gate-Emitter Peak Voltage

Ty=25℃

±20

V

lc

Continuous DC Collector Current

Tc=100℃

150

A

CRM

Repetitive Peak Collector Current

tp=1ms

300

A

Ptot

Total Power Dissipation

Tc=25℃,Tyjmax=175℃

1500

W

Nilai karakteristik




Symbol Values
Description Conditions Min. Typ. Max. Unit
VcE(sat Collector-Emitter Saturation Voltage VcE=15V,Ic=150A,Tv=25℃ 2.2 V
Vge=15V,Ic=150A,Tv=125℃ 2.5 V
VgE(th Gate Threshold Voltage VgE=VcE,Ic=3.8mA 5 5.8 6.5 V
IcEs Collector-Emitter Cut-Off Current VcE=1200V,VgE=0V mA
GES Gate-Emitter Leakage Current VcE=20V,VcE=0V 600 nA
RGint Internal Gate Resistor Ty=25℃ 3.8 Ω
Cies Input Capacitance 11.5 nF
Coes Output Capacitance Vce=25V,Vce=0V,f=1MHz 1 nF
Cres Reverse Transfer Capacitance 0.4 nF
tt(on) Turn-on Delay Time 139 ns
Vcc=600V
t Turn-on Rise Time VoE=±15V 37 nS
d(a) Turn-off Delay Time Ic=150A 192 nS
t Turn-off Fall Time Rg=2.0g 128 nS
Eon Turn-on Switching Loss Inductive Load 7.9 -= mJ
Eff Turn-off Switching Loss Ty=25℃ 8.4 mJ
Isc Short Circuit Data VcE≤15V,Vcc=600V 518 A
tp≤10μs,Tv=25℃
Thermal Resistance,Junction to Case Per IGBT —-- 0.1 —-- K/W
Twop Virtual Junction Temperature Under Switching -40 150

Dioda -Inverter

Maksimum Nilai nilai

Symbol

Description

Conditions

Values

Unit

VRRM

Repetitive Peak Reverse Voltage

Tv=25℃

1200

V

lF

Continuous DC Forward Current

 

150

A

lFRM

Repetitive Peak Collector Current

tp=1ms

300

A

Nilai karakteristik

Symbol Values
Description Conditions Min. Typ Max. Unit
Forward Voltage lr=150A,Vse=0V,Tv=25℃ 2.5 V
VF l=150A,Vge=0V,Tv=125℃ 1.9 —-- V
RM Peak Reverse Recovery Current —-- 42 A
Qr Recovered Charge l=150A,Vg=600V,Vge=-15V 3.1 uC
Erec Reverse Recovery Energy Ty=25℃ 1.1 mJ
Tuop Virtual Junction Temperature Under Switching -40 150

Garis besar paket (mm)

YZPST-P150HFN120AT1R6


Rumah> Produk> Perangkat modul semikonduktor> Modul IGBT> Modul 62mm dengan IGBT parit/fieldstop cepat dan dioda pemulihan cepat
苏ICP备05018286号-1
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim