YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk> Paket plastik semikonduktor> BI Directions Thyristor (TRIAC)> Kemampuan Tinggi 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
Kemampuan Tinggi 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
Kemampuan Tinggi 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
Kemampuan Tinggi 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
Kemampuan Tinggi 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
Kemampuan Tinggi 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
Kemampuan Tinggi 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC

Kemampuan Tinggi 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC

$0.22000-19999 Piece/Pieces

$0.16≥20000Piece/Pieces

Jenis pembayaran:L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:FOB,CFR,CIF
Transportasi:Ocean,Land,Express,Others
Pelabuhan:SHANGHAI
Atribut Produk

Model NoYZPST-BTB24-1200WRG

MerekYzpst

Tempat AsalCina

IT(RMS)25A

VDRM1200V

VRRM1200V

VTM≤1.5A

Tstg-40~150℃

Tj-40~125℃

ITSM250A

I2t340A2s

& pengiriman paket
Menjual unit : Piece/Pieces
Tipe paket : 1. Kemasan Anti-Elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid
Unduh :
TRIAC BTB24-1200WRG TO-263
Deskripsi Produk

BTA24/BTB24 Series 25A TRIACS

YZPST-BTB24-1200WRG

KETERANGAN:
Dengan kemampuan tinggi untuk menahan pemuatan guncangan arus besar, triac seri BTA24/BTB24 memberikan laju DV/DT yang tinggi dengan resistensi yang kuat terhadap antarmuka elektromagnetik.

Dengan kinerja pergantian yang tinggi, 3 produk kuadran terutama direkomendasikan untuk digunakan pada beban induktif. Dari ketiga terminal ke heatsink eksternal, BTA24 menyediakan tegangan isolasi terukur 2500 VRM yang memenuhi standar UL

YZPST-BTA24-800BW


UTAMA FITUR:

symbol

value

unit

IT(RMS)

25

A

VDRM/VRRM

600/800/1200/1600

V

VTM

≤1.5

V

MUTLAK MAKSIMUM Peringkat:

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25)

VDRM

600/800/1200/1600

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25)

VRRM

600/800/1200/1600

V

RMS on-state current

IT(RMS)

25

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)

 

ITSM

 

250

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

340

A2s

Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)

dI/dt

50

A/ μs

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Peak gate power

PGM

10

W

Karakteristik Listrik (TJ = 25 ℃ Kecuali ditentukan lain)

3 kuadran

Parameter Value
Test Condition Quadrant CW BW Unit
IGT VD=12V, 35 50 mA
VGT RL=33Ω - - MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM - - MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 60 80 mA
- 70 90
IL IG=1.2IGT MAX 80 100 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 1000 1500 V/ µs


4 kuadran

Parameter Value
Test Condition Quadrant C B Unit
- - 25 50 mA
IGT VD=12V, 50 70 mA
VGT RL=33Ω ALL MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM ALL MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 60 75 mA
--  70 80
IL IG=1.2IGT MAX 90 100 mA
VD=2/3VDRM   Tj=125 Gate open
dV/dt MIN 200 500 V/ µs

PANAS Resistensi

Symbol Test Condition Value Unit
TO-220A(Ins 1.5
TO-220F(Ins 1.6
TO-263 2.1 /W
Rth(j-c) junction to case(AC) TO-3P 0.68

KEMASAN MEKANIS DATA

TO-263


Rumah> Produk> Paket plastik semikonduktor> BI Directions Thyristor (TRIAC)> Kemampuan Tinggi 25A BTB24-1200WRG TO-263 1200V TRIAC
苏ICP备05018286号-1
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim