Thyristor kekuatan tinggi 6500V untuk aplikasi kontrol fase

Thyristor kekuatan tinggi 6500V untuk aplikasi kontrol fase

$2502-9 Piece/Pieces

$210≥10Piece/Pieces

Jenis pembayaran:	L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:	FOB,CFR,CIF
Transportasi:	Ocean,Land,Express,Others
Pelabuhan:	SHANGHAI

Option:

VRRM:6500V
VDRM:6500V
IRRM:40 mA
IDRM:200mA
dV/dt:1000 V/μsec
IT(AV):1000A
ITRMS:1650A

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: YZPST-KP1000A6500V

Merek: Yzpst

Place Of Origin: China

VRRM: 6500V

VDRM: 6500V

IRRM: 40 mA

IDRM: 200mA

DV/dt: 1000 V/μsec

IT(AV): 1000A

ITRMS: 1650A

& pengiriman paket

Menjual unit	:	Piece/Pieces
Tipe paket	:	1. Kemasan Anti-Elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid
Unduh	:

Deskripsi Produk

P/N: YZPST-KP1000A/6500V

Thyristo r kekuatan tinggi untuk FASE KONTROL APLIKASI

Fitur:

. Semua Struktur yang tersebar

. Konfigurasi Penguat Pusat

. Terjamin Waktu mematikan maksimum

. DV/DT tinggi Kemampuan

. Tekanan dirakit Perangkat _

Pemblokiran - Off state

VRRM ( 1)	V DRM ( 1)	VRSM ( 1)
6500	6500	6600

Vrrm = tegangan balik puncak berulang

Vdrm = tegangan keadaan puncak berulang

VRSM = tegangan balik puncak non berulang (2)

Catatan:

Semua peringkat ditentukan untuk TJ = 25 oC kecuali

sebaliknya dinyatakan.

(1) Semua peringkat tegangan ditentukan untuk bentuk gelombang sinusoidal 50Hz/60ZHz yang diterapkan di atas

Kisaran suhu -40 hingga +125 OC.

(2) 10 msec. Max. Lebar denyut nadi

(3) Nilai maksimum untuk TJ = 125 OC.

(4) Nilai minimum untuk linier dan eksponensial

Waveshape hingga 80% peringkat VDRM. Gerbang terbuka.

TJ = 125 OC.

(5) Nilai non-berulang.

(6) Nilai DI/DT ditetapkan

sesuai dengan EIA/NIMA Standard RS-397, Bagian 5-2-2-6. Nilai yang didefinisikan adalah tambahan dengan yang diperoleh dari sirkuit snubber, terdiri dari kapasitor 0,2 μF dan resistensi 20 ohm secara paralel dengan thristor

di bawah Tes.

Repetitive peak reverse leakage and off state

IRRM / IDRM

40 mA

200mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/μsec

Melakukan - di negara bagian

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Max. Average value of on-state current	IT(AV)		1000		A	Sinewave, 180o conduction TC=70 oC
RMS value of on-state current	ITRMS		1650		A	Nominal value
Peak one cpstcle surge	ITSM		18		kA	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
(non repetitive) current	ITSM		18		kA
I square t	I2t		1620		kA2s
Latching current	IL		1500		mA	VD = 24 V; RL= 12 ohms
Holding current	IH		500		mA	VD = 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	VTM		2.65		V	ITM = 1000A; Tvj= 125℃
Threshold voltage	VTo		1.24		V	Tvj= 125℃
Slope resistance	rT		1.01		mΩ	Tvj= 125℃
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		500		A/μs	Switching from VDRM < 1500 V,
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		500		A/μs	non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		-		A/μs	Switching from VDRM < 3500 V

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		50		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		10		W
Peak gate current	IGM		10		A
Gate current required to trigger all units	IGT		400		mA mA mA	VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC
Gate voltage required to trigger all units	VGT		- 2.6 -		V V V	VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0- 125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC
Peak negative voltage	VGRM		10		V

Dinamis

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	td		-		μs	ITM = 1000 A; VD = Rated VDRM Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0. 1 μs; tp = 20 μs
Turn-off time (with VR = -50 V)	tq		700		μs	ITM = 1000 A; di/dt = 1A/μs; VR > 200 V; Re-applied dV/dt = 20 V/μs linear to 67% VDRM; VG = 0; Tj = 125 oC; Duty cpstcle > 0.01%
Reverse recovery charge	Qrr		-		μAs	ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/μs; VR > 200V