Kemampuan arus tinggi dioda pemulihan cepat ke-263 mur1620ct

Parameter

Symbol

MUR 1610 CT

MUR 1615 CT

MUR 1620 CT

MUR 1640 CT

MUR 1660 CT

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

VRRM

100

150

200

400

600

V

Working Peak Reverse Voltage

VRW M

70

105

140

280

420

V

DC Blocking Voltage

VR(DC)

100

150

200

400

600

V

Average Rectified Forward Current Per Leg

Total Device                                                            Total Device

IF(AV)

8

16

A

Peak Rectified Forward Current Per Diode Leg

IFM

16

A

Nonrepetitive Peak Surge Current(Surge applied at rated load conditions half wave, single phase, 60 Hz)

IFSM

180

A

Operating Junction Temperature and Storage Temperature

TJ, Tstg

1.Anode   2.Cathode    3. Anode -55 to +150

C

Maximum Thermal Resistance, Junction−to−Case(Per Leg)

R θJC

3.0

2.0

C/

W

Parameter

Symbol

MUR 1610 CT

MUR 1615 CT

MUR 1620 CT

MUR 1640 CT

MUR 1660 CT

Unit

Forward Voltage (Note 1)(IF = 8.0 A, TC = 25°C)

VF

1.0

1.3

1.7

V

Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)

(Rated DC Voltage, TC = 150°C)

(Rated DC Voltage, TC = 25°C)

IR

250

10

500

10

μ A

Maximum Reverse Recovery Time

(IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, IREC = 0.25 A)

TRR

35

35

ns