YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk> Perangkat disk semikonduktor (tipe kapsul)> Welding Diode.> Diode pengelasan dengan kepadatan arus tinggi ZP18000
Diode pengelasan dengan kepadatan arus tinggi ZP18000
Diode pengelasan dengan kepadatan arus tinggi ZP18000
Diode pengelasan dengan kepadatan arus tinggi ZP18000
Diode pengelasan dengan kepadatan arus tinggi ZP18000

Diode pengelasan dengan kepadatan arus tinggi ZP18000

$55≥10Piece/Pieces

Jenis pembayaran:L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:FOB,CFR,CIF
Min. Memesan:10 Piece/Pieces
Transportasi:Ocean,Air
Pelabuhan:SHANGHAI
Atribut Produk

Model NoYZPST-ZP18000-02

MerekYZPST

& pengiriman paket
Menjual unit : Piece/Pieces
Tipe paket : 1. Kemasan anti-elektrostatik 2. Kotak karton 3. Kemasan pelindung plastik
Deskripsi Produk

Dioda pengelasan

YZPST-ZP18000-02

Fitur:

Semua Struktur Tersebar

. Kepadatan arus tinggi

. Penurunan tegangan on-state yang sangat rendah

. kasus logam dengan isolator keramik

. Tahan panas ultra-rendah

KARAKTERISTIK LISTRIK DAN PERINGKAT

Blocking - Off State

1

Catatan:

Semua peringkat ditentukan untuk Tj = 25 oC kecuali dinyatakan lain.

(1) Setengah sinus, f = 50Hz, Tj = -40 hingga + 170oC.

(2) Half sine, 10 msec, Tj = -40 hingga + 170oC.

(3) Temperatur persimpangan maksimum: Tj = 170 oC.

(4) Parameter didefinisikan di bawah ini:

2


Melakukan - pada negara

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IF(AV)

18000

A

sine,180o Conduction angle,Tc =85oC

RMS value of on-state current

IF(RMS)

28200

A

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

135000

A

10.0 msec ,sine, 180o Conduction angle, Tj = 170 oC

I2t

I2t

91100000

A2s

10.0 msec, sine, Tj = 170 oC

Peak on-state voltage

VFM

1.08

0.97

V

IFM =12000 A; 25 oC IFM =5000 A; 25 oC

Threshold votage

VTO

0.74

V

Tj = 170 oC

Slope resistance

rT

0.016

mΩ

Tj = 170 oC

Reverse Recovery Current (4)

IRM(REC)

A

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Charge (4)

Qrr

mC

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Time (4)

tRR

ms

KARAKTERISTIK TERMAL DAN MEKANIK

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating junction temperature range

Tj

-40

+170

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+170

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

0.004

o

C/W

Double sided cooled

Thermal resistance - case to sink

RQ (j-c)

0.008

o

C/W

Single sided cooled

Creepage distance on the surface

DS

8

mm

Air breakdown distance

Da

8

mm

Mounting force

F

36

44

kN

Weight

W

578

g

GARIS BESAR DAN DIMENSI

3







Rumah> Produk> Perangkat disk semikonduktor (tipe kapsul)> Welding Diode.> Diode pengelasan dengan kepadatan arus tinggi ZP18000
苏ICP备05018286号-1
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim