Thyristor dengan gerbang amplifying 25a modul thyristor

Thyristor dengan gerbang amplifying 25a modul thyristor

$2.2100-999 Bag/Bags

$1.85≥1000Bag/Bags

Jenis pembayaran:	L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:	FOB,CFR,CIF
Transportasi:	Ocean,Air
Pelabuhan:	SHANGHAI

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: YZPST-SG25AA60

Merek: Yzpst

Jenis Suplai: Produsen asli, ODM, Agen, Pengecer

Bahan Referensi: lembaran data, Foto

Konfigurasi: Himpunan

Kerusakan Saat Ini: Tak dapat diterapkan

Penahan Saat Ini (Ih) (maksimum): Tak dapat diterapkan

Status Saat Ini (maksimum): Tak dapat diterapkan

Nomor SCR, Dioda: Tak dapat diterapkan

Suhu Operasional: -55 ° C ~ 150 ° C (TJ)

Jenis SCR: Pemulihan Standar

Struktur: Tak dapat diterapkan

Voltase Menyala: Tak dapat diterapkan

Pemicu Gerbang Tegangan (Vgt) (maksimum): Tak dapat diterapkan

Output Saat Ini (maksimum): Tak dapat diterapkan

IT(AV): 25A

ITRMS: 39A

ITSM: 0.45kA

I2t: 1.04kA2S

VDRM/VRRM: 600V

Di/dt: 100A/us

Viso: 2000V

Tj: -40 ~ + 125℃

Tstg: -40 ~ + 125℃

& pengiriman paket

Menjual unit	:	Bag/Bags
Unduh	:

Deskripsi Produk

Modul T Hyristor

YZPST- SG25AA60

Fitur
Transfer panas melalui aluminium nitrida keramik baseplate logam terisolasi
Kontak tekanan logam mulia untuk keandalan tinggi
Thyristor dengan gerbang penguat

Aplikasi khas s

· Kontrol motor DC

· Pengatur suhu

· Peredupan cahaya profesional

Peringkat maksimum

Symbol	Condition	Ratings	Unit
IT(AV)	Single phase ，half wave ，sin 180° conduction ;TC=70°C	25	A
ITRMS	Single phase ，half wave ，sin 180° conduction	39	A
ITSM	Tj= Tj MAX	0.45	kA
I2t	Tj= Tj MAX	1.04	kA2S
VDRM/VRRM	Tj= Tj MAX	600	V
di/dt	non-repetitive	100	A/us
Viso	A.C. 1minute/1S	2000	V
Tj		-40 ~ + 125	°C
Tstg		-40 ~ + 125	°C
W	About	23	g

Karakteristik Listrik

Symbol	Condition	Ratings	Unit
IDRM /IRRM	AtVDRM ，Single phase ，half wave ，Tj= Tj MAX	5	mA
VTM	On-State Current 78A ，Tj=25°C	1.40	V
VT(TO)	Tj= Tj MAX	-	V
T	Tj= Tj MAX	-	mΩ
RK1G1		-	Ω
RK2G2		-	Ω
tgd	Tj=25°C;VD=0.4VDRM ; ITM=ITAV	-	us
tq	dvD/dt=50V/us; Tj= Tj MAX; ITM=ITAV	-	us
IGT/VGT	Tj=25°C ，IT=1A ，VD=6V	40 / 3.0	mA/V
VGD	VD=67%VDRM	0.2	V
DV/DT	VD=67%VDRM	100	V/us
IH	Tj=25°C	30	mA
IL	Tj=25°C	-	mA
Rth(j-c)	Thermal resistance Junction to case; per module	1.6	°C /W
Rth(c-h)	Thermal resistance case to heatsink; per module	-	K/W