YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk> Perangkat modul semikonduktor> Modul thyristor.> Modul Thyristor 1600V Tingkat Lanjut 1600V
Modul Thyristor 1600V Tingkat Lanjut 1600V
Modul Thyristor 1600V Tingkat Lanjut 1600V
Modul Thyristor 1600V Tingkat Lanjut 1600V
Modul Thyristor 1600V Tingkat Lanjut 1600V
Modul Thyristor 1600V Tingkat Lanjut 1600V
Modul Thyristor 1600V Tingkat Lanjut 1600V

Modul Thyristor 1600V Tingkat Lanjut 1600V

$18.510-199 Bag/Bags

$15.5≥200Bag/Bags

Jenis pembayaran:L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:FOB,CFR,CIF
Transportasi:Ocean,Air
Pelabuhan:SHANGHAI
Atribut Produk

Model NoYZPST-MMO175-16W1C

MerekYzpst

AplikasiAmplifier, Tak dapat diterapkan

Jenis Suplailain

Bahan Referensilembaran data, Foto, lain

Jenis PaketPermukaan gunung

Metode InstalasiTak dapat diterapkan

Fungsi FETTak dapat diterapkan

KonfigurasiTak dapat diterapkan

VRRM1600V

VDRM1600V

VRSM1700V

IRRM5mA

IT(AV)80A

IT(RMS)125A

ITSM1500

& pengiriman paket
Menjual unit : Bag/Bags
Unduh :
YZPST-MMO175-16W1C.
Deskripsi Produk


YZPST-MMO175-16W1C 175A 1600V

Modul Thyristor

Rohs patuh


FITUR PRODUK
Pelat dasar: tembaga
Keripik thyristor kaca
Arus kebocoran rendah
DBC secara internal terisolasi
Bersepeda daya canggih
APLIKASI
Kontrol motor AC softstart
Pengatur suhu
Kontrol Daya AC
Power Converte


Pencahayaan dan Kontrol Suhu

A bs o l u te m a x i m u m r a t i ng s (tc = 25 ° C kecuali ditentukan lain)

Symbol Parameter Test Conditions Values Unit
VRRM Maximum Repetitive Reverse Voltage Tvj=125 1600 V
VDRM Maximum repetitive peak off-state voltage
VRSM Non-Repetitive Reverse Voltage Tvj=125 1700 V
VDSM Non-repetitive peak off-state voltage
IRRM Maximum Repetitive Reverse Current Tvj=125 5 A
IDRM Maximum repetitive peak off-state Current
IT(AV) Mean On-state Current TC=85 80
IT(RMS) RMS Current TC=85, sin180° 125
IRMS Module TC=85 175 A
ITSM Non Repetitive Surge Peak On-state Current 10ms, Tj=25 1500
I2t For Fusing 10ms, Tj=25 11000 A2S
VTM Peak on-state voltage ITM=240A 1.67 V
dv/dt critical rate of rise of off-state voltage VD =2/3VDRM   Gate Open Tj=125 1000 V/us
IGT gate trigger current     max. 100 A
VGT gate trigger voltage     max. 1.3 V
IH gate trigger current 200 A
IL latching current 350 A
Viso A  50Hz   RMS    1min 2500 V
TJ Junction Temperature -40 to +150
TSTG Storage Temperature Range -40 to +150
RthJC Junction to Case Thermal Resistance(Per thyristor chip ) 0.45  /W

O Utlines

Advanced power cycling 1600V thyristor module











Rumah> Produk> Perangkat modul semikonduktor> Modul thyristor.> Modul Thyristor 1600V Tingkat Lanjut 1600V
苏ICP备05018286号-1
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim