Single Mesa 20A BT152 SCR TO-220

$0.174000-19999 Piece/Pieces

$0.14≥20000Piece/Pieces

Jenis pembayaran:	L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:	FOB,CFR,CIF
Transportasi:	Ocean,Land,Express,Others
Pelabuhan:	SHANGHAI

Option:

IT (RMS)：20A
ITSM:200A
IGM:4A
IT(AV):13A
PG(AV):1W
PGM:5W

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: YZPST-BT152

Merek: Yzpst

Place Of Origin: China

IT (RMS): 20A

IT(AV): 13A

ITSM: 200A

IGM: 4A

PGM: 5W

PG(AV): 1W

Tstg: -40--+150℃

Tj: -40--+125℃

& pengiriman paket

Menjual unit	:	Piece/Pieces
Tipe paket	:	1. Kemasan Anti-Elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid
Unduh	:

Deskripsi Produk

BT152-600R/800R

Single Mesa 20A BT152 SCR TO-220

YZPST-BT152

● Fitur produk
Perangkat Silikon Unilateral NPNP Struktur Empat Lapisan,
P+ pada isolasi difusi melalui,
Struktur mesa tunggal (mesa tunggal),
Proses Pasifan Kaca Tabel,
Logam elektroda belakang (anoda): ti-ni-ag
Kemampuan tinggi resistensi guncangan saat ini
● Tujuan utama
Bergantian sakelar arus,
AC DC Power Converter,
Kontrol pemanasan listrik
Kontrol Kecepatan Motor
● Paket
TO-220M1 TO-220F

YZPST-BT152-1

Fitur Utama (TJ = 25 ℃)

Symbol	Value	Unit
IT (RMS)	20	A
VDRM VRRM	600/800	V
IGT	≤200	uA

Peringkat absolut (nilai pembatas)

Symbol	Parameter	Value	Unit
IT (RMS)	RMS on-state current (180 °conduction angle)	20	A
IT(AV)	AV on-state current (180 °conduction angle)	13	A
ITSM	Non repetitive surge peak on-state	200	A
ITSM	Current (tp=10ms)	200	A
IGM	Peak gate current(tp=20us)	4	A
PGM	Peak gate power	5	W
PG(AV)	Average gate power	1	W
Tstg	Storage temperature	110	℃
Tj	Operating junction temperature	85	℃

Resistensi Thermai

Symbol	Parameter		Value	Unit
		TO-220M1	2.2
Rth (j-c)	Junction to case	TO-220F	2.5	℃/W

Karakteristik Listrik (TJ = 25 ℃ Kecuali dinyatakan lain)

Symbol	Test Conditions		Value			Unit
Symbol	Test Conditions		Min	Type	Max	Unit
IGT	VD=12V, RL=33Ω		----	5	25	mA
VGT	VD=12V, RL=33Ω		-----	-----	1.3	V
VGD	VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK=1KΩ,Tj=125℃		0.2	-----	-----	V
IH	IT=500mA		-----	-----	30	mA
IL	IG=1.2IGT		-----	-----	60	mA
dV/dt	VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=110℃		500			v/ μs
dV/dt	VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=110℃		500	-----	-----	v/ μs
VTM	IT=30A,tp=380 μs		-----	-----	1.6	V
dI/dt	IG=2IGT		50	-----	-----	A/μs
I2T	Tp=10ms		-----	-----	200	A2S
		Tj=25℃	-----	-----	10	μA
IDRM	VD=VDRM	Tj=125℃	-----	-----	1	mA
		Tj=25℃	-----	-----	10	μA
IRRM	VR=VRRM	Tj=125℃	-----	-----	1	mA