YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk> Perangkat disk semikonduktor (tipe kapsul)> Diode penyearah (dioda standar)> Dioda penyearah tegangan tinggi 30A
Dioda penyearah tegangan tinggi 30A
Dioda penyearah tegangan tinggi 30A
Dioda penyearah tegangan tinggi 30A
Dioda penyearah tegangan tinggi 30A
Dioda penyearah tegangan tinggi 30A

Dioda penyearah tegangan tinggi 30A

$0.851000-1999 Piece/Pieces

$0.78≥2000Piece/Pieces

Jenis pembayaran:L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:FOB,CFR,CIF
Transportasi:Ocean,Air
Pelabuhan:SHANGHAI
Atribut Produk

Model NoYZPST-RD3016-TO263

MerekYzpst

Tstg-55 ~150℃

Tj-55 ~150℃

VRRM1600V

IF(AV)30A

IFSM350A

I2t612A2S

& pengiriman paket
Menjual unit : Piece/Pieces
Tipe paket : 1. Kemasan Anti-Elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Kemasan Pelindung Plastik
Unduh :
YZPST-RD3016-TO263
Deskripsi Produk


YZPST-ZP3016-RD3016-ZP30A1600V 30A Rectifier Diode


KETERANGAN:
Seri tegangan tinggi penyearah telah
Dioptimalkan untuk penurunan tegangan ke depan yang sangat rendah. Kaca
Teknologi pasif yang digunakan memiliki operasi yang dapat diandalkan hingga
Suhu persimpangan 150 ° C

High Voltage 30A Rectifier Diode

APLIKASI:

• Input perbaikan
• Sakelar semikonduktor dan penyearah output yang tersedia dalam garis besar paket yang identik


Ab s o l u te m ax i m u m ra t i n g s

Parameter

Symbol

Test Conditions

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

 

-55 ~ 150

Operating junction temperature range

Tj

 

-55~ 150

Maximum Repetitive peak reverse voltage

VRRM

 

1600

V

Maximum average forward current

IF(AV)

TC = 105 °C, 180°       conduction half sine wave

30

A

Maximum peak one cycle

non-repetitive surge current

 

IFSM

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

 

350

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

612

A2S

E L ECT R I C A L C HARA CTE R I ST I CS ( T = 25un l e ss o t dia r w i s e s pe c ifi ed )

Parameter Symbol Test Conditions Value Unit
Maximum forward voltage drop VFM IF=30 A 1.2 V
Maximum reverse leakage current IRM TJ = 25 °C 5 µA
VR = Rated VRRM
TJ = 150 °C 1 mA
VR = Rated VRRM
Rmal _ Resistensi
Symbol Parameter Value Unit
Rth(j-a) junction to    ambient 45 /W
Rth(j-c) Junction to case 0.9
Atau Dering Informasi Skema

High Voltage 30A Rectifier Diode

To-263 Kemasan Mekanis Data

High Voltage Rectifier


苏ICP备05018286号-1
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim