Thyristor daya tinggi untuk aplikasi inverter

Thyristor daya tinggi untuk aplikasi inverter

$801-199 Piece/Pieces

$40≥200Piece/Pieces

Jenis pembayaran:	L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:	FOB,CFR,CIF
Min. Memesan:	1 Piece/Pieces
Transportasi:	Ocean,Air
Pelabuhan:	Shanghai

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: YZPST-R0929LC10 (TQ<10US)

Merek: YZPST

公域 R0929LC10 截取视频 15 秒 -3.45m

公域 R0929LC10 截取视频 14 秒 -3.18m



Deskripsi Produk

THYRISTOR DAYA TINGGI UNTUK APLIKASI INVERTER

YZPST-R0929LC10 (TQ <10US)

Fitur Thyristor:

. Semua Struktur Tersebar

. Konfigurasi Gerbang Penguat Interdigitated

. Dijamin Maksimal Turn-Off Time

. Kemampuan dV / dt tinggi

. Perangkat Rakitan Tekanan

KARAKTERISTIK LISTRIK DAN PERINGKAT

Blocking - Off State

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
1000	1100	1200

V _RRM = Tegangan balik puncak berulang

V _DRM = Puncak tegangan kondisi mati berulang

V _RSM = Tegangan balik puncak tidak berulang (2)

Catatan:

Semua peringkat ditentukan untuk Tj = 25 ^o C kecuali dinyatakan lain.

(1) Semua peringkat tegangan ditentukan untuk diterapkan

50Hz / 60zHz bentuk gelombang sinusoidal di atas

kisaran suhu -40 hingga +125 ^o C.

(2) 10 msec. maks. lebar pulsa

(3) Nilai maksimum untuk Tj = 125 ^o C.

(4) Nilai minimum untuk bentuk gelombang linear dan eksponensial hingga 80% berperingkat V _DRM . Gerbang terbuka. Tj = 125 ^o C.

(5) Nilai tidak berulang.

(6) Nilai di / dt ditetapkan sesuai dengan Standar EIA / NIMA RS-397, Bagian 5-2-2-6. Nilai yang ditentukan akan menjadi tambahan dari yang diperoleh dari sirkuit ubber, terdiri dari kapasitor 0,2 mF dan 20 ohmresistensi secara paralel dengan thristor yang diuji.

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Melakukan - pada negara

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Max. average value of on-state current	I_T(AV)_M		929		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=55^oC
RMS value of on-state current	I_T₍_RMS_)m		1893		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 9.0		kA kA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		405x10³		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		1000		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.04		V	I_TM = 1400 A
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		1500		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		1000		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W
Average gate power dissipation	P_G(AV)		2		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		300		mA	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		3.0		V	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Peak negative voltage	V_RG_M		5		V

Dinamis

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_g_d		1.0	-	ms	V_D=67% V_DRM, I_T=2000A, di/dt=60A/us, I_FG=2A, t_r=0.5us, T_j=25C
Turn-on time	t_gt		2.0	-
Turn-off time (with V_R = -5 V)	t_q	-	10	-	ms	I_TM=1000A, t_p=1000us, di/dt=60A/us, V_r=50V, V_dr=33%V_DRM, dV_dr/dt=200V/us
Reverse recovery current	I_r_m		-		A	I_TM=4000A, t_p=2000us, di/dt=60A/us

KARAKTERISTIK DAN PERINGKAT TERMAL DAN MEKANIK

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		- -		K/kW	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	R_Q_(c-s)		- -		K/kW	Double sided cooled * Single sided cooled *
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-_s₎		32 64		K/kW	Double sided cooled Single sided cooled
Mounting force	F	10	20	-	kN
Weight	W			-	Kg	about