YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk> Paket plastik semikonduktor> BI Directions Thyristor (TRIAC)> Tingkat DV/DT Tinggi BTA16-600C 16A TRIAC TO-220
Tingkat DV/DT Tinggi BTA16-600C 16A TRIAC TO-220
Tingkat DV/DT Tinggi BTA16-600C 16A TRIAC TO-220
Tingkat DV/DT Tinggi BTA16-600C 16A TRIAC TO-220
Tingkat DV/DT Tinggi BTA16-600C 16A TRIAC TO-220
Tingkat DV/DT Tinggi BTA16-600C 16A TRIAC TO-220
Tingkat DV/DT Tinggi BTA16-600C 16A TRIAC TO-220
Tingkat DV/DT Tinggi BTA16-600C 16A TRIAC TO-220

Tingkat DV/DT Tinggi BTA16-600C 16A TRIAC TO-220

$0.165000-19999 Piece/Pieces

$0.13≥20000Piece/Pieces

Jenis pembayaran:L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:FOB,CFR,CIF
Transportasi:Ocean,Land,Others
Pelabuhan:SHANGHAI
Atribut Produk

Model NoYZPST-BTA16-600C

MerekYzpst

Place Of OriginChina

IT(RMS)16A

VDRM600V

VRRM600V

VTM≤ 1.5v

Tstg-40~150℃

Tj-40~125℃

ITSM160A

& pengiriman paket
Menjual unit : Piece/Pieces
Tipe paket : 1. Kemasan Anti-Elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Braid
Unduh :
TRIAC BTA16-600C TO220
Deskripsi Produk

BTA 1 6/ BTB 16 (BT 13 9) Seri 16 Atriacs

YZPST-BTA16-600BW


Deskripsi :


Dengan kemampuan tinggi untuk menahan pemuatan guncangan arus besar, triac seri BTA16/BTB16 memberikan laju DV/DT tinggi dengan resistensi yang kuat terhadap antarmuka elektromagnetik.

Dengan kinerja pergantian yang tinggi, 3 produk kuadran terutama direkomendasikan untuk digunakan pada beban induktif. Dari ketiga terminal ke heatsink eksternal, BTA16 memberikan tegangan isolasi terukur 2500 VRM yang memenuhi standar UL

YZPST-BTB16-600B-1


Fitur Utama :

symbol

value

unit

IT(RMS)

16

A

VDRM/VRRM

600/800/ 1200

V

VTM

≤ 1.5

V

Peringkat maksimum absolut :

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (Tj=25C)

VDRM

600/800/ 1200

V

Repetitive peak reverse voltage (Tj=25C)

VRRM

600/800/ 1200

V

RMS on-state current

IT(RMS)

16

A

Non repetitive surge peak on-state current (full cycleF=50Hz)

ITSM

160

 A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

128

A2s

Critical rate of rise of on-state current(IG=2× IGT)

dI/dt

50

A/μs

Peak gate current

IGM

4

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

1

W

Peak gate power

PGM

5

W

Karakteristik Listrik (TJ = 25C ​​kecuali ditentukan lain)

3 kuadran

Parameter Value
Test Condition Quadrant TW SW CW BW Unit
IGT VD=12V, 5 10 35 50 A
VGT RL=33Ω - MAX 1.3 V
VGD VD=VDRM - MIN 0 2 V
IH IT=100mA MAX 15 25 40 60 A
- 20 30 50 70 m
IL IG=1.2IGT MAX 25 40 60 90 A
VD=2/3VDRM   Tj=125Gate open
dV/dt MIN 100 200 500 1000 Vs

4 kuadran

Parameter Value
Test Condition Quadrant C B Unit
- 25 50 A
IGT VD=12V, 50 70 A
VGT RL=33Ω ALL MAX 1.5 V
VGD VD=VDRM ALL MIN 0.2 V
IH IT=100mA MAX 40 60 A
- 50 70 m
IL IG=1.2IGT MAX 70 90 A
VD=2/3VDRM   Tj=125Gate open
dV/dt MIN 200 500 Vs

Karakteristik statis

Symbol Test Condition Value Unit
VTM ITM=22.5A   tp=380μs Tj=25C MAX 1.5 V
IDRM Tj=25C 5 A
IRRM VDRMVRRM Tj=125C MAX 1 A

Resistensi termal


Symbol Test Condition Value Unit
Rth(j-c) TO-220A(Ins) 2.1 /W
TO-220B(Non-Ins) 1.3
TO-220F(Ins) 2.3
junction to case(AC) TO-263 2.4

MEMINTA INFORMASI
YZPST-BTB16-600B-2
Paket Data Mekanik
YZPST-BTB16-600B


Rumah> Produk> Paket plastik semikonduktor> BI Directions Thyristor (TRIAC)> Tingkat DV/DT Tinggi BTA16-600C 16A TRIAC TO-220
苏ICP备05018286号-1
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim