YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk> Paket plastik semikonduktor> BI Directions Thyristor (TRIAC)> N-Channel Enhanced Mode To-247 MOSFET
N-Channel Enhanced Mode To-247 MOSFET
N-Channel Enhanced Mode To-247 MOSFET
N-Channel Enhanced Mode To-247 MOSFET
N-Channel Enhanced Mode To-247 MOSFET
N-Channel Enhanced Mode To-247 MOSFET
N-Channel Enhanced Mode To-247 MOSFET

N-Channel Enhanced Mode To-247 MOSFET

$2.1100-999 Piece/Pieces

$1.55≥1000Piece/Pieces

Jenis pembayaran:L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:FOB,CFR,CIF
Transportasi:Ocean,Air
Pelabuhan:SHANGHAI
Atribut Produk

Model NoYZPST-STW20NM60

MerekYzpst

Tempat AsalCina

VDSS600V

IDM78A

VGS±30A

EAS1284mJ

EAR97mJ

TSTG,TJ-55~+150℃

& pengiriman paket
Menjual unit : Piece/Pieces
Tipe paket : 1. Kemasan Anti-Elektrostatik 2. Kotak Karton 3. Kemasan Pelindung Plastik
Unduh :
Deskripsi Produk

Pro misin g CHI P YZPST -STW20NM60


N-Channel Enhanced Mode To-247 MOSFET

Fitur

l High Rugge Dness

l lo w r ds (on) (Typ 0.22) @V GS = 10V

l rendah ga te cha rge (Typ 84nc)

l Memperbaiki d DV/DT CA pa bility

l 100% Ava la nche Te s te d

l Aplikasi Lica tion: UPS , Mengenakan biaya, PC Kekuasaan , Inverter

Umum Keterangan

Power MOSFET ini diproduksi dengan teknologi canggih yang menjanjikan Chip.

Ini teknologi memungkinkan itu kekuasaan MOSFET ke memiliki lebih baik karakteristik, termasuk cepat switching waktu, rendah pada Perlawanan, muatan gerbang rendah dan longsoran salju yang sangat baik karakteristik.

Maksimum absolut peringkat

Symbol

Parameter

Value

Unit

VDSS

Drain to source voltage

600

V

 

ID

Continous drain current(@Tc=25)

20*

A

Continous drain current(@Tc=100)

12*

A

IDM

Drain current pulsed

78

A

VGS

Gate to source voltage

±30

V

EAS

Single pulsed avalanche energy

1284

mJ

EAR

Repetitive pulsed avalanche energy

97

mJ

dv/dt

Peak diode recovery dv/dt

5

V/ns

 

PD

Total power dissipation(@Tc=25)

42.3

W

Derating factor above 25

0.32

W/

TSTG,TJ

Operating junction temperature & storage temperature

-55~+150

TL

Maximum lead temperature for soldering purpose,1/8 from case for 5second

300

*Tiriskan arus dibatasi oleh persimpangan suhu

Panas Karakteristik:

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthjc

Thermal resistance , Junction to case

3.1

/W

Rthja

Thermal resistance , Junction to ambient

49

/W

Nama gambar

TO-247-3L ( Ll )

N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFETN-channel TO-247 MOSFET





Rumah> Produk> Paket plastik semikonduktor> BI Directions Thyristor (TRIAC)> N-Channel Enhanced Mode To-247 MOSFET
苏ICP备05018286号-1
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim