Thyristor Daya Tinggi Promosi untuk Kontrol Fase

Thyristor Daya Tinggi Promosi untuk Kontrol Fase

dapatkan harga terbaru

Jenis pembayaran:	L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:	FOB,CFR,CIF
Transportasi:	Ocean,Air
Pelabuhan:	Shanghai

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: YZPST-R219CH12FN0

Merek: YZPST

Deskripsi Produk

Thyristor Daya Tinggi untuk Kontrol Fase

YZPST-R219CH12FN0

Fitur:

.Guaranteed Maximum Turn-Off Time

. Semua Struktur Tersebar

. Perangkat Rakitan Tekanan

. Konfigurasi Gerbang Penguatan Digigit

. Kemampuan dV / dt tinggi

KARAKTERISTIK LISTRIK DAN PERINGKAT

Blocking - Off State

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
1200	1200	1300

V _RRM = Tegangan balik puncak berulang

V _DRM = Puncak tegangan kondisi mati berulang

V _RSM = Tegangan balik puncak tidak berulang (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Catatan:

Semua peringkat ditentukan untuk Tj = 25 ^o C kecuali dinyatakan lain.

(1) Semua peringkat tegangan ditentukan untuk diterapkan

50Hz / 60zHz bentuk gelombang sinusoidal di atas

kisaran suhu -40 hingga +125 ^o C.

(2) 10 msec. maks. lebar pulsa

(3) Nilai maksimum untuk Tj = 125 ^o C.

(4) Nilai minimum untuk bentuk gelombang linear dan eksponensial hingga 80% berperingkat V _DRM . Gerbang terbuka. Tj = 125 ^o C.

(5) Nilai tidak berulang.

(6) Nilai di / dt ditetapkan sesuai dengan EIA / NIMA Standard RS-397, Bagian 5-2-2-6. Nilai yang ditentukan akan menjadi tambahan dari yang diperoleh dari sirkuit ubber, terdiri dari kapasitor 0,2 m F dan 20 ohmresistensi secara paralel dengan thristor yang diuji.

Melakukan - pada negara

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Max. average value of on-state current	I_T(AV)_M		929		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=55^oC
RMS value of on-state current	I_T₍_RMS_)m		1893		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 9.0		kA kA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		405x10³		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		1000		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.04		V	I_TM = 1400 A
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		1500		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		1000		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W
Average gate power dissipation	P_G(AV)		2		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		300		mA	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		3.0		V	V_D = 10 V;I_T=3A;T_j = +25 ^oC
Peak negative voltage	V_RG_M		5		V

Dinamis

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_g_d		1.0	-	ms	V_D=67% V_DRM, I_T=2000A, di/dt=60A/us, I_FG=2A, t_r=0.5us, T_j=25C
Turn-on time	t_gt		2.0	-
Turn-off time (with V_R = -5 V)	t_q	-	-	10	ms	I_TM=1000A, t_p=1000us, di/dt=60A/us, V_r=50V, V_dr=33%V_DRM, dV_dr/dt=200V/us
Reverse recovery current	I_r_m		-		A	I_TM=4000A, t_p=2000us, di/dt=60A/us