YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk> Perangkat disk semikonduktor (tipe kapsul)> Tahap Kontrol Thyristor> Thyristors Daya Tinggi 1718A CE 1800V
Thyristors Daya Tinggi 1718A CE 1800V
Thyristors Daya Tinggi 1718A CE 1800V
Thyristors Daya Tinggi 1718A CE 1800V
Thyristors Daya Tinggi 1718A CE 1800V
Thyristors Daya Tinggi 1718A CE 1800V

Thyristors Daya Tinggi 1718A CE 1800V

dapatkan harga terbaru
Jenis pembayaran:L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:FOB,CFR,CIF
Transportasi:Ocean,Air
Pelabuhan:Shanghai
Deskripsi Produk
Atribut Produk

Model NoYZPST-N1718NS180

MerekYZPST

Deskripsi Produk


THYRISTOR DAYA TINGGI UNTUK PENGENDALIAN FASE

YZPST-N1718NS18

Fitur: Perangkat Perakitan Tekanan. Konfigurasi Gerbang Penguat Interdigitated . Semua Struktur Tersebar . Kemampuan dV / dt tinggi . . Dijamin Maksimal Turn-Off Time .

KARAKTERISTIK LISTRIK DAN PERINGKAT


Blocking - Off State

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1800

1800

1900

V RRM = Tegangan balik puncak berulang

V DRM = Puncak tegangan kondisi mati berulang

V RSM = Tegangan balik puncak tidak berulang (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

100 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec


Catatan:

Semua peringkat ditentukan untuk Tj = 25 oC kecuali dinyatakan lain.

(1) Semua peringkat tegangan ditentukan untuk diterapkan

50Hz / 60zHz bentuk gelombang sinusoidal di atas

kisaran suhu -40 hingga +125 oC.

(2) 10 msec. maks. lebar pulsa

(3) Nilai maksimum untuk Tj = 125 oC.

(4) Nilai minimum untuk bentuk gelombang linear dan eksponensial hingga 80% nilai VDRM. Gerbang terbuka. Tj = 125 oC.

(5) Nilai tidak berulang.

(6) Nilai di / dt ditetapkan sesuai dengan Standar EIA / NIMA RS-397, Bagian 5-2-2-6. Nilai yang ditentukan akan menjadi tambahan dari yang diperoleh dari sirkuit ubber, terdiri dari kapasitor 0,2 andF dan 20 ohmresistensi secara paralel dengan thristor yang diuji.



Melakukan - pada negara

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1718

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

3450

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

27.2

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

3.7x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

1.41

V

ITM = 2550 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V



Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

4

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinamis

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.5

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.5

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

170

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=10A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us








Gambar terperinci


 High Power Thyristors 1718A CE 1800V

苏ICP备05018286号-1
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim