YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
Rumah> Produk> Perangkat disk semikonduktor (tipe kapsul)> Tahap Kontrol Thyristor> Mesin Las Thyristors Daya Yangzhou
Mesin Las Thyristors Daya Yangzhou
Mesin Las Thyristors Daya Yangzhou
Mesin Las Thyristors Daya Yangzhou
Mesin Las Thyristors Daya Yangzhou
Mesin Las Thyristors Daya Yangzhou

Mesin Las Thyristors Daya Yangzhou

dapatkan harga terbaru
Jenis pembayaran:L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:FOB,CFR,CIF
Transportasi:Ocean,Air
Pelabuhan:SHANGHAI
Deskripsi Produk
Atribut Produk

Model NoYZPST-R355SH12FLO

MerekYZPST

Deskripsi Produk





Saklar Daya Tinggi Cepat Thyristor

YZPST-R355SH12FLO

THYRISTOR DAYA TINGGI UNTUK APLIKASI PENGENDALIAN FASE

Fitur:. Dijamin Maksimal Turn-Off Time . Konfigurasi Gerbang Penguat Interdigitated . Semua Struktur Tersebar . Kemampuan dV / dt tinggi . Perangkat Rakitan Tekanan


KARAKTERISTIK LISTRIK DAN PERINGKAT



Blocking - Off State


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

VRRM = Tegangan balik puncak berulang

VDRM = Puncak tegangan kondisi mati berulang

VRSM = Tegangan balik puncak non-berulang (2)


Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

150mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Catatan:

Semua peringkat ditentukan untuk Tj = 25 oC kecuali dinyatakan lain.

(1) Semua peringkat tegangan ditentukan untuk gelombang sinusoidal 50Hz / 60zHz yang diterapkan pada rentang suhu -40 hingga +125 oC.

(2) 10 msec. maks. lebar pulsa

(3) Nilai maksimum untuk Tj = 125 oC.

(4) Nilai minimum untuk bentuk gelombang linear dan eksponensial hingga 80% nilai VDRM. Gerbang terbuka. Tj = 125 oC.

(5) Nilai tidak berulang.

(6) Nilai di / dt ditetapkan sesuai dengan Standar EIA / NIMA RS-397, Bagian 5-2-2-6. Nilai yang ditentukan akan menjadi tambahan dari yang diperoleh dari sirkuit ubber, terdiri dari kapasitor 0,2 andF dan 20 ohmresistensi secara paralel dengan thristor yang diuji.


Melakukan - pada negara

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1271

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

2599

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

18.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.62x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.02

V

ITM = 2000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Dinamis

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

15

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

KARAKTERISTIK DAN PERINGKAT TERMAL DAN MEKANIK

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

24

48

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

19

25

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Permukaan pemasangan halus, rata dan berlemak

Catatan: untuk kerangka kasus dan dimensi, lihat gambar kerangka kasus di halaman 3 dari Data Teknis ini






Gambar terperinci



Thyristor Fast High-Power Switch


苏ICP备05018286号-1
Kirim permintaan
*
*

We will contact you immediately

Fill in more information so that we can get in touch with you faster

Privacy statement: Your privacy is very important to Us. Our company promises not to disclose your personal information to any external company with out your explicit permission.

Kirim