Kemampuan dV / dt tinggi 6500V thyristor daya tinggi

Kemampuan dV / dt tinggi 6500V thyristor daya tinggi

$1501-99 Piece/Pieces

$95≥100Piece/Pieces

Jenis pembayaran:	L/C,T/T,Paypal
Inkoterm:	FOB,CFR,CIF
Min. Memesan:	1 Piece/Pieces
Transportasi:	Ocean,Air
Pelabuhan:	SHANGHAI

Hubungi sekarang

Deskripsi Produk

Atribut Produk

& pengiriman paket

Deskripsi Produk

Atribut Produk

Model No: YZPST-KP894A-6500V

Merek: YZPST

& pengiriman paket

Menjual unit	:	Piece/Pieces
Tipe paket	:	1. Kemasan anti-elektrostatik 2. Kotak karton 3. Kemasan pelindung plastik

Deskripsi Produk

THYRISTOR DAYA TINGGI UNTUK APLIKASI PENGENDALIAN FASE

YZPST-KP894A-6500V

Deskripsi Produk

Fitur:

. Semua Struktur Tersebar

. Konfigurasi Gerbang Penguat Interdigitated v

. Dijamin Maksimal Turn-Off Time

. Kemampuan dV / dt tinggi

. Perangkat Rakitan Tekanan

KARAKTERISTIK LISTRIK DAN PERINGKAT

Blocking - Off State

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
6500	6500	6600

V _RRM = Tegangan balik puncak berulang

V _DRM = Puncak tegangan kondisi mati berulang

V _RSM = Tegangan balik puncak tidak berulang (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM /}I_DRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Catatan:

Semua peringkat ditentukan untuk Tj = 25 ^o C kecuali dinyatakan lain.

(1) Semua peringkat tegangan ditentukan untuk diterapkan

50Hz / 60zHz bentuk gelombang sinusoidal di atas

kisaran suhu -40 hingga +125 ^o C.

(2) 10 msec. maks. lebar pulsa

(3) Nilai maksimum untuk Tj = 125 ^o C.

(4) Nilai minimum untuk bentuk gelombang linear dan eksponensial hingga 80% berperingkat V _DRM . Gerbang terbuka. Tj = 125 ^o C.

(5) Nilai tidak berulang.

(6) Nilai di / dt ditetapkan sesuai dengan EIA / NIMA Standard RS-397, Bagian 5-2-2-6. Nilai yang ditentukan akan menjadi tambahan dari yang diperoleh dari sirkuit ubber, terdiri dari kapasitor 0,2 m F dan 20 ohmresistensi secara paralel dengan thristor yang diuji.

Catatan:

Semua peringkat ditentukan untuk Tj = 25 ^o C kecuali dinyatakan lain.

(1) Semua peringkat tegangan ditentukan untuk diterapkan

50Hz / 60zHz bentuk gelombang sinusoidal di atas

kisaran suhu -40 hingga +125 ^o C.

(2) 10 msec. maks. lebar pulsa

(3) Nilai maksimum untuk Tj = 125 ^o C.

(4) Nilai minimum untuk bentuk gelombang linear dan eksponensial hingga 80% berperingkat V _DRM . Gerbang terbuka. Tj = 125 ^o C.

(5) Nilai tidak berulang.

Melakukan - pada negara

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Max. average value of on-state current	I_T(AV)_M		894		A	Sinewave,180^o conduction,T_c=60^oC
RMS value of on-state current	I_T₍_RMS_)m		1404		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		- 12		kA kA	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		0.72x10⁶		A²s	8.3 msec
Latching current	I_L		3000		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		300		mA	V_{D =} 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.4		V	I_TM = 1000 A ,T_j = 25 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		200		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V